A method for fabricating a semiconductor interconnect structure having a substrate with an interconnect structure patterned therein, a barrier layer, a pre-seed layer, a seed layer, a bulk interconnect layer, and a sealing layer, and a device thereby formed. The barrier layer is formed using atomic layer deposition techniques. Subsequently, a pre-seed layer is formed to create a heteroepitaxial interface between the barrier and pre-seed layers. This is accomplished using atomic layer epitaxy techniques to form the pre-seed layer. Thereafter, a seed layer is formed by standard deposition techniques to create a homoepitaxial interface between the seed and pre-seed layers. Upon this layered structure further bulk deposition of conducting materials is done. Excess material is removed from the bulk layer and a sealing layer is formed on top to complete the interconnect structure.

Un metodo per fabbricare una struttura di interconnessione a semiconduttore che ha un substrato con una struttura di interconnessione modellata in ciò, uno strato di sbarramento, uno strato del pre-seme, uno strato del seme, uno strato all'ingrosso di interconnessione e uno strato di sealing e un dispositivo quindi formato. Lo strato di sbarramento è formato usando le tecniche atomiche di deposito di strato. Successivamente, uno strato del pre-seme è formato per generare un'interfaccia heteroepitaxial fra la barriera e gli strati del pre-seme. Ciò è compiuta usando le tecniche atomiche di epitassia di strato per formare lo strato del pre-seme. Da allora in poi, uno strato del seme è costituito dalle tecniche standard di deposito per generare un'interfaccia homoepitaxial fra il seme e gli strati del pre-seme. Su questa struttura fatta uno strato di più ulteriormente ammassa il deposito dei materiali di condotta è fatto. Il materiale eccedente è rimosso dallo strato all'ingrosso e uno strato di sealing è formato sulla parte superiore per completare la struttura di interconnessione.