A nitride compound semiconductor light-emitting device having a stack of layers including an active layer for a light emitting device and a method of manufacturing the device is disclosed. The method includes the steps of growing a first layer on a substrate at a first temperature to obtain an incomplete crystalline structure including both indium and aluminum and having the composition expressed as In.sub.X Al.sub.Y Ga.sub.1-X-Y N (0.ltoreq.X.ltoreq.1, 0.ltoreq.Y.ltoreq.1). The method grows a cap layer on the first layer to cover the first layer, with growth of the cap layer proceeding at a second temperature substantially equal to or below the first temperature. The first layer is heat treated at a third temperature above the first temperature to cause the incomplete crystalline structure to crystallize and to create areas of differing compositions, thus changing the first layer to an active layer. The material of the cap layer is selected to be heat stable during the heat-treating step.

Een de halfgeleider lichtgevend apparaat dat van de nitridesamenstelling een stapel lagen met inbegrip van een actieve laag voor een licht uitzendend apparaat en een methode om het apparaat heeft wordt te vervaardigen onthuld. De methode omvat de stappen van het kweken van een eerste laag op een substraat bij een eerste temperatuur om een onvolledige kristallijne structuur met inbegrip van zowel indium als aluminium te verkrijgen en het hebben van de samenstelling die als In.sub.X Al.sub.Y ga.sub.1-x-Y N wordt uitgedrukt (0.ltoreq.X.ltoreq.1 0.ltoreq.Y.ltoreq.1). De methode kweekt een GLBLAAG op de eerste laag om de eerste laag, met de groei van de GLBLAAG te behandelen te werk gaand bij een tweede temperatuur wezenlijk gelijk aan of onder de eerste temperatuur. De eerste laag is thermisch behandeld bij een derde temperatuur boven de eerste temperatuur om de onvolledige kristallijne structuur te veroorzaken om tot gebieden van verschillende samenstellingen te kristalliseren en te leiden, waarbij de eerste laag aan een actieve laag wordt veranderd. Het materiaal van de GLBLAAG wordt geselecteerd om hittestal te zijn tijdens de hitte-behandelende stap.