Light emitting diodes such as those formed from gallium nitride based semiconductors are provided with electrode and pad structures which facilitate current spreading. The LED may be formed as a die with a lower contact surface and a mesa projecting upwardly from the lower contact surface. An electrode on the lower contact surface may be in the form of a ring substantially encircling the mesa. In other arrangements, the pad and/or electrode on the lower contact surface is disposed in an indentation on one edge of the mesa whereas the pad on the top of the mesa is disposed adjacent the opposite edge of the mesa.

Des diodes luminescentes comme ceux formées des semi-conducteurs basés par nitrure de gallium sont équipées de structures d'électrode et de garniture qui facilitent la propagation courante. La LED peut être formée comme matrice avec une surface de contact inférieure et un MESA projetant vers le haut de la surface de contact inférieure. Une électrode sur la surface de contact inférieure peut être sous forme d'anneau encerclant sensiblement le MESA. Dans d'autres arrangements, la garniture et/ou l'électrode sur la surface de contact inférieure est disposée dans une impression sur un bord du MESA tandis que la garniture sur le dessus du MESA est adjacente disposé le bord opposé du MESA.