A smoothing structure containing indium is formed between the substrate and the active region of a III-nitride light emitting device to improve the surface characteristics of the device layers. In some embodiments, the smoothing structure is a single layer, separated from the active region by a spacer layer which typically does not contain indium. The smoothing layer contains a composition of indium lower than the active region, and is typically deposited at a higher temperature than the active region. The spacer layer is typically deposited while reducing the temperature in the reactor from the smoothing layer deposition temperature to the active region deposition temperature. In other embodiments, a graded smoothing region is used to improve the surface characteristics. The smoothing region may have a graded composition, graded dopant concentration, or both.

Μια λειαίνοντας δομή που περιέχει το ίνδιο διαμορφώνεται μεταξύ του υποστρώματος και της ενεργού περιοχής μιας ελαφριάς εκπέμποντας συσκευής ΙΙΙ-ΝΙΤΡΙΔΊΩΝ για να βελτιώσει τα χαρακτηριστικά επιφάνειας των στρωμάτων συσκευών. Σε μερικές ενσωματώσεις, η λειαίνοντας δομή είναι ένα ενιαίο στρώμα, που χωρίζεται από την ενεργό περιοχή από ένα στρώμα πλήκτρων διαστήματος που χαρακτηριστικά δεν περιέχει το ίνδιο. Το λειαίνοντας στρώμα περιέχει μια σύνθεση του ίνδιου χαμηλότερη από την ενεργό περιοχή, και κατατίθεται χαρακτηριστικά σε μια υψηλότερη θερμοκρασία από την ενεργό περιοχή. Το στρώμα πλήκτρων διαστήματος κατατίθεται χαρακτηριστικά μειώνοντας τη θερμοκρασία στον αντιδραστήρα από τη λειαίνοντας θερμοκρασία απόθεσης στρώματος στην ενεργό θερμοκρασία απόθεσης περιοχών. Σε άλλες ενσωματώσεις, μια βαθμολογημένη περιοχή λείανσης χρησιμοποιείται για να βελτιώσει τα χαρακτηριστικά επιφάνειας. Η περιοχή λείανσης μπορεί να έχει μια βαθμολογημένη σύνθεση, μια βαθμολογημένη συγκέντρωση υλικού πρόσμιξης, ή και των δύο.