The present invention relates to a cross-linker for a photoresist polymer, and a process for forming a negative photoresist pattern by using the same. Preferred cross-linkers according to the invention comprise compounds having two or more aldehyde groups, such as glutaric dialdehyde, 1,4-cyclohexane dicarboxaldehyde, or the like. Further, a photoresist composition is disclosed, which comprises (i) a cross-linker as described above, (ii) a photoresist copolymer comprising a hydroxyl-containing alicyclic monomer, (iii) a photoacid generator and (iv) an organic solvent, as well as a process for forming a photoresist pattern using such photoresist composition.

La presente invenzione riguarda un cross-linker per un polimero del photoresist e un processo per formare un modello negativo del photoresist usando lo stesso. I cross-linkers preferiti secondo l'invenzione contengono i residui che hanno due o più gruppi dell'aldeide, quale la dialdeide glutarica, dicarboxaldehyde 1,4-cyclohexane, e simili. Più ulteriormente, una composizione nel photoresist è rilevata, che contiene (i) un cross-linker come descritto precedentemente, (ii) un copolimero del photoresist che contiene un monomero alicilico idrossile-contenente, (iii) un generatore del photoacid e (iv) un solvente organico, come pure un processo per formare un modello del photoresist usando tale composizione nel photoresist.