In order to test a semiconductor memory, a bit fail map is generated in that a predetermined data value is written to memory cells and subsequently read out and compared with the data value that has been written. The bit fail map is buffer-stored on the semiconductor memory in a memory bank other than the one that is currently being tested. Reliability of the test method is improved since defects in different memory banks can be regarded as independent of one another. It is advantageous for the bit fail map to be stored three times in different memory banks and for a majority decision to be taken during read-out.

Um einen Halbleiterspeicher zu prüfen, wird ein Spitze Ausfallendiagramm dadurch erzeugt daß ein vorbestimmter Datenwert zu den Speicherzellen geschrieben wird und nachher ausgelesen und mit den Daten verglichen bewerten Sie die geschrieben worden ist. Das Spitze Ausfallendiagramm wird auf dem Halbleiterspeicher in einer Gedächtnisbank anders als die Puffer-gespeichert, die z.Z. geprüft wird. Zuverlässigkeit der Testmethode wird verbessert, da Defekte in den unterschiedlichen Gedächtnisbänken als Unabhängiges von einem anders angesehen werden können. Es ist vorteilhaft für das Spitze Ausfallendiagramm, dreimal in den unterschiedlichen Gedächtnisbänken gespeichert zu werden und für einen Mehrheitsbeschluß, während der Anzeige genommen zu werden.