A higher-temperature heating zone and lower-temperature heating zone are set in a process chamber for a single-substrate-heat-processing apparatus in order to subject a wafer to two processes with different process temperatures. In the higher-temperature heating zone, the wafer is heated as it is placed on a worktable. In the lower-temperature heating zone, the wafer is heated with a smaller heat quantity as it floats above the worktable. In the lower-temperature heating zone, a heat ray reflector for compensating for heat dissipated from the peripheral portion of the wafer is disposed to surround the wafer.

Uma zona do heating da zona e da baixo-temperatura do heating da elevado-temperatura é ajustada em uma câmara process para um instrumento único-carcaça-calor-processando a fim sujeitar um wafer a dois processos com temperaturas process diferentes. Na zona do heating da elevado-temperatura, o wafer é aquecido enquanto é colocado em um worktable. Na zona do heating da baixo-temperatura, o wafer está aquecido com uma quantidade menor do calor enquanto flutua acima do worktable. Na zona do heating da baixo-temperatura, um refletor do raio do calor para compensar para o calor dissipado da parcela periférica do wafer é disposto cercar o wafer.