A method for making a semiconductor device is described. That method includes forming a dielectric layer on a substrate, then etching a trench into the dielectric layer. After filling the trench with copper, a portion of the copper is removed to form a recessed copper plug within the dielectric layer. A capping layer that comprises aluminum is then formed on the recessed copper plug.

Um método para fazer um dispositivo de semicondutor é descrito. Esse método inclui dar forma a uma camada dieléctrica em uma carcaça, gravando então uma trincheira na camada dieléctrica. Após ter enchido a trincheira com o cobre, uma parcela do cobre é removida para dar forma a um plugue de cobre recessed dentro da camada dieléctrica. Uma camada tampando que compreenda o alumínio é dada forma então no plugue de cobre recessed.