A magnetic memory cell having read conductor that is wholly clad with a
high magnetic permeability soft magnetic material for a pinned-on-the-fly
soft ferromagnetic reference layer is disclosed. The magnetic memory cell
includes a ferromagnetic data layer, an intermediate layer formed on the
ferromagnetic data layer, and a soft ferromagnetic reference layer formed
on the intermediate layer. The soft ferromagnetic reference layer includes
a read conductor and a ferromagnetic cladding that completely surrounds
the read conductor to form a cladded read conductor. The soft
ferromagnetic reference layer has a non-pinned orientation of
magnetization. When an externally supplied read current flows through the
read conductor, the read conductor generates a magnetic field that does
not saturate the ferromagnetic cladding and is substantially contained
within the ferromagnetic cladding and is operative to dynamically pin the
orientation of magnetization in a desired direction. Optionally, the soft
ferromagnetic reference layer can include a ferromagnetic cap layer
positioned between the ferromagnetic cladding and the intermediate layer
and magnetically coupled with the ferromagnetic cladding. A bit of data
stored in the ferromagnetic data layer is read by measuring a resistance
between the ferromagnetic data layer and the soft ferromagnetic reference
layer. The ferromagnetic cladding substantially reduces fringe magnetic
fields, reduces the number and complexity of the of layers needed to form
a prior pinned reference layer, and reduces a magnitude of the read
current sufficient to read the bit of data.
Una cellula di memoria magnetica che legge il conduttore che è interamente placcato con un materiale magnetico molle di alta permeabilità magnetica per appunt-su-$$$-VOLA lo strato ferromagnetico morbido di riferimento è rilevata. La cellula di memoria magnetica include uno strato di dati ferromagnetico, uno strato intermedio formato sullo strato di dati ferromagnetico e su uno strato ferromagnetico morbido di riferimento formato sullo strato intermedio. Lo strato ferromagnetico morbido di riferimento include un conduttore colto e un rivestimento ferromagnetico che completamente circonda il conduttore indicato per formare la a cladded il conduttore indicato. Lo strato ferromagnetico morbido di riferimento ha un orientamento non-appuntato di magnetizzazione. Quando una corrente colta esternamente fornita attraversa il conduttore colto, il conduttore indicato genera un campo magnetico che non satura il rivestimento ferromagnetico e sostanzialmente è contenuto all'interno del rivestimento ferromagnetico ed è attivo appuntare dinamicamente l'orientamento di magnetizzazione in un senso voluto. Facoltativamente, lo strato ferromagnetico morbido di riferimento può includere uno strato ferromagnetico della protezione posizionato fra il rivestimento ferromagnetico e lo strato intermedio ed accoppiato magneticamente con il rivestimento ferromagnetico. Un po'di dati memorizzati nello strato di dati ferromagnetico sono letti misurando una resistenza fra lo strato di dati ferromagnetico e lo strato ferromagnetico morbido di riferimento. Il rivestimento ferromagnetico riduce sostanzialmente i campi magnetici della frangia, riduce il numero e la complessità di degli strati stati necessari per formare uno strato appuntato anteriore di riferimento e riduce una grandezza della corrente indicata sufficiente per indicare la punta dei dati.
