A process for forming an MRAM element. The process comprises patterning a globally deposited sense layer and then forming a spacer about the patterned sense layer so as to cover the lateral edges of the patterned sense layer. Subsequently, a globally deposited tunnel layer and fixed layer are patterned so as to define the MRAM element. Preferably, the pinned layer is patterned such that the outer lateral edges of the pinned layer is displaced in a direction parallel to the substrate from the lateral edges of the patterned sensed layer thereby reducing coupling effects between the two layers. Moreover, the use of a spacer during the process further inhibits shorting between the sense layer and the pinned layer during patterning of the pinned layer.

Un processus pour former un élément de MRAM. Le processus comporte modeler une couche globalement déposée de sens et puis former une entretoise au sujet de la couche modelée de sens afin de couvrir les bords latéraux de la couche modelée de sens. Plus tard, une couche globalement déposée de tunnel et la couche fixée sont modelées afin de définir l'élément de MRAM. De préférence, la couche goupillée est modelée tels que les bords latéraux externes de la couche goupillée est déplacés dans une direction parallèle au substrat à partir des bords latéraux de la couche sentie modelée réduisant de ce fait des effets d'accouplement entre les deux couches. D'ailleurs, l'utilisation d'une entretoise pendant le processus autre empêche court-circuiter entre la couche de sens et la couche goupillée pendant modeler de la couche goupillée.