A program unit includes two program cells having an electric resistance varying according to a magnetization direction thereof. These program cells are magnetized in the same direction in initial state, that is, non-program state. In program state, the magnetization direction of one of the program cells selected according to program data is changed from the initial state. One-bit program data and information of whether the program unit stores program data or not can be read based on two program signals generated according to the electric resistances of the two program cells.

Uma unidade do programa inclui duas pilhas do programa que têm uma resistência elétrica variar de acordo com um sentido da magnetização disso. Estas pilhas do programa são magnetizadas no mesmo sentido no estado inicial, isto é, estado do non-programa. No estado do programa, o sentido da magnetização de uma das pilhas do programa selecionadas de acordo com dados do programa é mudado do estado inicial. os dados do programa do Um-bocado e a informação de se a unidade do programa armazena dados do programa ou não pode ser lida basearam em dois sinais do programa gerados de acordo com as resistências elétricas das duas pilhas do programa.