A method of refreshing a semiconductor device such as a VSRAM. A memory cell array 20 of a semiconductor device 1 is divided into four blocks consisting of a block A, block B, block C, and block D. During a period in which data read or write operations is performed for one of the blocks, refreshing is performed for all the remaining blocks. A refresh cycle in a power saving state is caused to be longer than a refresh cycle in an operating state.

Un método de restaurar un dispositivo de semiconductor tal como un VSRAM. Un arsenal de célula de memoria 20 de un dispositivo de semiconductor 1 se divide en cuatro bloques que consisten en un bloque A, el bloque B, el bloque C, y el bloque D. Durante un período en el cual los datos leídos o escriben operaciones se realizan para uno de los bloques, restaurando se realizan para todos los bloques restantes. Un ciclo de la restauración en un estado del ahorro de energía se hace ser más largo que un ciclo de la restauración en un estado de funcionamiento.