A thin-film flexible solar cell built on a plastic substrate comprises a cadmium telluride p-type layer and a cadmium sulfide n-type layer sputter deposited onto a plastic substrate at a temperature sufficiently low to avoid damaging or melting the plastic and to minimize crystallization of the cadmium telluride. A transparent conductive oxide layer overlaid by a bus bar network is deposited over the n-type layer. A back contact layer of conductive metal is deposited underneath the p-type layer and completes the current collection circuit. The semiconductor layers may be amorphous or polycrystalline in structure.

Une pile solaire flexible en couche mince établie sur un substrat en plastique comporte un p-type couche de tellurure de cadmium et un n-type couche de sulfure de cadmium pulvérisent déposé sur un substrat en plastique à une température suffisamment bas pour éviter d'endommager ou fondre le plastique et pour réduire au minimum la cristallisation du tellurure de cadmium. Un overlaid conducteur transparent de couche d'oxyde par un réseau de barre omnibus est déposé au-dessus du n-type couche. Une couche arrière de contact de métal conducteur est déposée sous le p-type couche et accomplit le circuit courant de collection. Les couches de semi-conducteur peuvent être amorphes ou polycristallines en structure.

 
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< Microelectronic fabrication having formed therein terminal electrode structure providing enhanced barrier properties

< Electro-optical device and semiconductor device

> Semiconductor device and semiconductor display device

> Sputtering target, transparent conductive oxide, and process for producing the sputtering target

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