A high performance circuit is formed by using a TFT with less fluctuation in characteristics, and a semiconductor device including such a circuit is formed. When the TFT is formed, first, a base film and a semiconductor film are continuously formed on a quartz substrate without exposing to the air. After the semiconductor film is crystallized by using a catalytic element, the catalytic element is removed. In the TFT formed in such a process, fluctuation in electrical characteristics such as a threshold voltage and a subthreshold coefficient is extremely small. Thus, it is possible to form a circuit, such as a differential amplifier circuit, which is apt to receive an influence of characteristic fluctuation of a TFT.

Ein hohe Leistung Stromkreis wird gebildet, indem man ein TFT mit weniger Fluktuation in den Eigenschaften verwendet, und ein Halbleiterelement einschließlich solch einen Stromkreis wird gebildet. Wenn das TFT gebildet wird, werden erste, ein niedriger Film und ein Halbleiterfilm ununterbrochen auf einem Quarzsubstrat gebildet, ohne der Luft herauszustellen. Nachdem der Halbleiterfilm kristallisiert wird, indem man ein katalytisches Element verwendet, wird das katalytische Element entfernt. Im TFT, das in solch einem Prozeß gebildet wird, ist Fluktuation in den elektrischen Eigenschaften wie einer Schwelle Spannung und ein subthreshold Koeffizient extrem klein. So ist es möglich, einen Stromkreis, wie ein Differentialverstärkerstromkreis zu bilden, der passend ist, einen Einfluß der charakteristischen Fluktuation eines TFT zu empfangen.