A method and apparatus for planarizing a microelectronic substrate. In one embodiment, the microelectronic substrate is engaged with a planarizing medium that includes a planarizing pad and a planarizing liquid. The planarizing liquid has a selected pH and abrasive elements in the planarizing pad have an isoelectric point that is at or below the pH of the planarizing liquid. For example, the abrasive elements can include coated or conglomerate elements formed from two materials, each having a different isoelectric point. Alternatively, different abrasive elements in the planarizing pad can have different isoelectric points. Accordingly, the abrasive elements can have a reduced affinity for components of the planaring liquid, such as corrosion-inhibiting agents. In another embodiment, high-frequency radiation, such as ultraviolet radiation, is directed toward the planarizing medium to control an amount of the corrosion-inhibiting agent adsorbed to the abrasive elements.

Метод и прибор для planarizing микроэлектронный субстрат. В одном воплощении, микроэлектронный субстрат включен с planarizing средством которое вклюает planarizing пусковую площадку и planarizing жидкость. Planarizing жидкость имеет выбранный pH и истирательные элементы в planarizing пусковой площадке иметь изоэлектрический пункт на или под pH planarizing жидкости. Например, истирательные элементы могут включить coated или накопленные элементы сформированные от 2 материалов, каждого имея по-разному изоэлектрический пункт. Друг, по-разному истирательные элементы в planarizing пусковой площадке могут иметь по-разному изоэлектрические пункты. Соответственно, истирательные элементы могут иметь уменьшенное сродство для компонентов planaring жидкости, such as corrosion-inhibiting вещества. В другом воплощении, направлены, что к planarizing средству контролирует высокочастотная радиация, such as ультрафиолетовая радиация, количество corrosion-inhibiting вещества адсорбированного к истирательным элементам.