A method of fabricating an improved flash memory device having core stacks
and periphery stacks which are protected with an oxide layer, a protective
layer and an insulating layer. A high energy dopant implant is used to
pass the dopant through the insulating layer, the protective layer and
oxide layer into the substrate to create source and drain regions, without
using a self aligned etch. The flash memory device has an intermetallic
dielectric layer placed over the core stacks and the periphery stacks. A
tungsten plug is placed in the intermetallic dielectric layer to provide
an electrical connection to the drain of the flash memory device. The use
of a high energy dopant implant to pass through dopant through the
insulating layer, the protective layer and the oxide layer into the
substrate without the use of a self aligned source etch, reduces damage to
the core stacks and periphery stacks caused by various etches during the
production of the flash memory device and provides insulation to reduce
unwanted current between the tungsten plug and the stacks.
Un método de fabricar un dispositivo de memoria de destello mejorado que tiene apilados de la base y apilados de la periferia que se protegen con una capa del óxido, una capa protectora y una capa de aislamiento. Un implante del dopant de la alta energía se utiliza para pasar el dopant con la capa de aislamiento, la capa protectora y la capa del óxido en el substrato para crear fuente y para drenar regiones, sin usar un grabado de pistas alineado uno mismo. El dispositivo de memoria de destello tiene una capa dieléctrica intermetálica puesta sobre los apilados de la base y los apilados de la periferia. Un enchufe del tungsteno se coloca en la capa dieléctrica intermetálica para proporcionar una conexión eléctrica al dren del dispositivo de memoria de destello. El uso de un implante del dopant de la alta energía de pasar a través de dopant con la capa de aislamiento, la capa protectora y la capa del óxido en el substrato sin el uso de un uno mismo alineó el grabado de pistas de la fuente, reduce daño a los apilados de la base y a los apilados de la periferia causados por los varios grabados de pistas durante la producción del dispositivo de memoria de destello y proporciona el aislamiento para reducir la corriente indeseada entre el enchufe del tungsteno y los apilados.
