This invention concerns a process for producing oxide thin film on a substrate by an ALD type process. According to the process, alternating vapor-phase pulses of at least one metal source material, and at least one oxygen source material are fed into a reaction space and contacted with the substrate. According to the invention, an yttrium source material and a zirconium source material are alternately used as the metal source material so as to form an yttrium-stabilized zirconium oxide (YSZ) thin film on a substrate.

Questa invenzione interessa un procedimento per produrre la pellicola sottile dell'ossido su un substrato da un tipo processo di ALD. Secondo il processo, gli impulsi alternati di vapore-fase almeno di una materia grezza del metallo ed almeno una materia grezza dell'ossigeno sono inseriti in uno spazio di reazione e si mettono in contatto con con il substrato. Secondo l'invenzione, una materia grezza dell'ittrio e una materia grezza dello zirconio alternatamente sono usate mentre la materia grezza del metallo in modo da formare una pellicola sottile ittrio-stabilizzata dell'ossido dello zirconio (YSZ) su un substrato.