A semiconductor device for use in a memory cell including an active matrix provided with a transistor and a first insulating layer formed around the transistor; a capacitor structure, formed on top of the first insulating layer and composed of a bottom electrode, a capacitor thin film placed on top of the bottom electrode and a top electrode formed on top of the capacitor thin film; a second insulating layer formed on top of the transistor and the capacitor structure; a metal interconnection formed on top of the second insulating layer and the active matrix to electrically connect the transistor to the capacitor structure; and a hydrogen barrier layer formed on top of the metal interconnection, wherein the hydrogen barrier layer is made of an aluminum oxide (Al.sub.x O.sub.y) layer.

Een halfgeleiderapparaat voor gebruik in een geheugencel met inbegrip van een actieve matrijs die van een transistor en een eerste het isoleren laag wordt voorzien vormde zich rond de transistor; een condensatorstructuur, die bovenop de eerste het isoleren laag wordt gevormd en die uit een onderste elektrode, een condensator dunne film wordt samengesteld die bovenop de onderste elektrode wordt geplaatst en een hoogste elektrode die bovenop de condensator dunne film wordt gevormd; een tweede het isoleren laag vormde zich bovenop de transistor en de condensatorstructuur; een metaalinterconnectie vormde zich bovenop de tweede het isoleren laag en de actieve matrijs om de transistor met de condensatorstructuur elektrisch te verbinden; en een laag van de waterstofbarrière vormde zich bovenop de metaalinterconnectie, waarin de laag van de waterstofbarrière van een aluminiumoxyde wordt gemaakt (O.sub.y) laag Al.sub.x.