A magnetic field is applied to a defective semiconductor device to be tested. A current is applied from a power supply to a wiring of the semiconductor device. At this time, a stress occurs to the wiring of the semiconductor device. A stress detector detects the stress and creates a first stress image. Next, a same magnetic field and a same current are applied to a good semiconductor device same in type and a stress is detected. By doing so, a second stress image as a comparison stress image is created. Next, a difference image between the first and second stress images is created by an image processor. As a result, only a stress resulting from a leak current is extracted. Next, the difference image is compared with a wiring pattern image of the semiconductor device to thereby specify a leakage portion.

Магнитное поле приложено к неполноценный прибора на полупроводниках, котор нужно испытать. Течение приложено от источника питания к проводке прибора на полупроводниках. В это время, усилие происходит к проводке прибора на полупроводниках. Детектор усилия обнаруживает усилие и создает первое изображение усилия. Затем, такое же магнитное поле и такое же течение приложены к хороший прибора на полупроводниках такие же в типе и усилие обнаружено. Путем делать так, создано второе изображение усилия как изображение усилия сравнения. Затем, изображение разницы между первыми и вторыми изображениями усилия создано обработчиком изображения. В результате, только извлечено усилие приводя к от течения утечки. Затем, изображение разницы сравнено с изображением картины проводки прибора на полупроводниках таким образом для того чтобы определить часть утечки.