A method for generating a patterned SOI photomask used for embedded DRAMs
is described. The method systematically identifies embedded DRAM areas to
be excluded from the SOI process and generates the shapes to be printed on
the photomask so that the embedded DRAM may be fabricated on bulk silicon.
The method includes the steps of: identifying and sorting DRAM array well
shapes by common electrical net, resulting in a single array well shape
for each electrical net (i.e., embedded DRAM cell). Next, all the n-band
contacts touching a given array well shape are collected. These shapes are
merged by common electrical net. A shape is then generated which is the
smallest enclosing rectangle of the common electrical net of the n-band
contact shapes. This represents the patterned SOI shape and defines the
bulk areas onto which the embedded DRAM is to be built. Accordingly, the
embedded DRAM macro is constructed in bulk areas while the logic is
constructed in SOI.
Een methode om een gevormde SOI photomask te produceren die voor ingebedde DRAMs wordt gebruikt wordt beschreven. De methode identificeert systematisch ingebedde DRAM gebieden die van het proces moeten worden uitgesloten SOI en produceert de vormen die op photomask moeten worden gedrukt zodat ingebedde DRAM op bulksilicium kan worden vervaardigd. De methode omvat de stappen van: de identificerende en sorterende DRAM serie vormt goed door gemeenschappelijke elektro netto, resulterend in één enkele serie vorm goed voor elk elektronet (d.w.z., ingebedde DRAM cel). Daarna, alle worden n-band contacten wat betreft een bepaalde serie goed vorm verzameld. Deze vormen worden samengevoegd door gemeenschappelijke elektro netto. Een vorm wordt dan geproduceerd die de kleinste insluitende rechthoek van gemeenschappelijke elektro netto van de n-band contactvormen is. Dit vertegenwoordigt de gevormde vorm SOI en bepaalt de bulkgebieden waarop ingebedde DRAM moet worden gebouwd. Dienovereenkomstig, wordt de ingebedde DRAM macro geconstrueerd op bulkgebieden terwijl de logica in SOI wordt geconstrueerd.
