A method of generating complementary masks for use in a multiple-exposure lithographic imaging process. The method includes the steps of identifying "horizontal" critical features and "vertical" critical features from a plurality of features forming a layout; identifying interconnection areas which are areas in which one of the horizontal critical features or the vertical critical features contacts another feature of the layout; defining a set of primary parameters on the basis of the proximity of the plurality of features relative to one another; and generating an edge modification plan for each interconnection area based on the primary parameters. A horizontal mask pattern is then generated by compiling the horizontal critical features, a first shield plan for the vertical critical features and the interconnection areas containing a horizontal critical feature modified by the edge modification plan. A vertical mask pattern is then generated by compiling the vertical critical features, a second shield plan for the horizontal critical features and the interconnection areas containing a vertical critical feature modified by the edge modification plan.

Метод производить комплементарные маски для пользы в процессе воображения множественн-vyderjki литографском. Метод вклюает шаги определять "горизонтальные" критически характеристики характеристик и "вертикали" критически от множественности характеристик формируя план; определяющ зонами соединения будут зоны в одна из горизонтальных критически характеристик или вертикальных критически характеристик контактирует другую характеристику плана; определять комплект главным образом параметров on the basis of близость множественности характеристик по отношению к одному другое; и производящ план изменения края для каждой зоны соединения основанной на главным образом параметрах. Горизонтальная картина маски после этого произведена путем составлять горизонтальные критически характеристики, первый план экрана для вертикальных критически характеристик и зоны соединения содержа горизонтальную критически характеристику доработанную планом изменения края. Вертикальная картина маски после этого произведена путем составлять вертикальные критически характеристики, второй план экрана для горизонтальных критически характеристик и зоны соединения содержа вертикальную критически характеристику доработанную планом изменения края.