The present invention provides co-doped zinc oxide to flat panel, light emissive display devices and vacuum microelectronic devices to improve their efficiency and lifetime. This material has a low growth temperature and is compatible with metal oxide semiconductor (MOS) processing technology. It is tranparent, chemically stable and has a low work function, which result in many advantages when being used as the cathode for the aforementioned devices. In one embodiment of the emissive display device, an organic light diode (OLED) display has a high work function metal anode, such as platinum (Pt), gold (Au) or nickel (Ni) and a low work function co-doped zinc oxide cathode. Because of the energy level alignment provided by these two materials, the potential energy barriers to injection of electrons from the cathode and holes from the anode into the organic emissive medium are minimized so the display device operates more efficiently.

La presente invenzione fornisce l'ossido co-verniciato dello zinco al pannello piano, visualizzatori emissive della luce e vacuum i dispositivi microelettronici per migliorare la loro efficienza e corso della vita. Questo materiale ha una temperatura bassa di sviluppo ed è compatibile con tecnologia della trasformazione a semiconduttore dell'ossido di metallo (MOS). È tranparent, chimicamente stabile ed ha una funzione bassa del lavoro, che provocano molti vantaggi quando usando come il catodo per i dispositivi sopraccennati. In un incorporamento del visualizzatore emissive, un'esposizione chiara organica del diodo (OLED) ha un alto anodo del metallo di funzione del lavoro, come platino (pinta), l'oro (Au) o il nichel (Ni) e un catodo dell'ossido dello zinco co-verniciato funzione bassa del lavoro. A causa del livello di energia l'allineamento ha fornito da questi due materiali, le barriere potenziali di energia all'iniezione degli elettroni dal catodo ed i fori dall'anodo nel mezzo emissive organico sono minimizzati in modo da il visualizzatore funziona più efficientemente.