A trench isolation structure is fabricated on a silicon substrate by initially depositing a masking layer of nitride having an aperture. A spacer of oxide is then formed on the inner sidewall of the aperture to define a mask window. A trench is formed in the substrate by etching it through the mask window. The spacer is removed to form stepped shoulder portions on upper edges of the trench. A liner of thermal oxide is provided in the trench, followed by deposition of a liner of nitride on an area including the trench and the stepped shoulder portions. The trench is filled with silicon oxide, and the layer of nitride is etched away with hot phosphoric acid.

Una estructura del aislamiento del foso es fabricada en un substrato del silicio inicialmente depositando una capa que enmascara del nitruro que tiene una abertura. Un espaciador del óxido entonces se forma en el flanco interno de la abertura para definir una ventana de la máscara. Un foso es formado en el substrato grabándolo al agua fuerte a través de la ventana de la máscara. El espaciador se quita a la forma caminó las porciones del hombro en los bordes superiores del foso. Un trazador de líneas del óxido termal se proporciona en el foso, seguido por la deposición de un trazador de líneas del nitruro en un área incluyendo el foso y las porciones caminadas del hombro. El foso se llena del óxido del silicio, y la capa del nitruro se graba al agua fuerte lejos con el ácido fosfórico caliente.