A method for etching an organic dielectric material layer includes depositing an inorganic barrier layer on the organic dielectric material layer, and depositing an inorganic masking layer on the inorganic barrier layer. A masking resin layer is deposited on the inorganic masking layer. The method further includes patterning the masking resin layer and etching through the inorganic masking layer to expose the inorganic barrier layer. Remaining portions of the masking resin layer are removed, and the exposed inorganic barrier layer is etched to expose the organic dielectric material layer. The method further includes removing remaining portions of the inorganic masking layer, and etching the exposed organic dielectric material layer while using the inorganic barrier layer as a mask.

Une méthode pour graver à l'eau-forte une couche matérielle diélectrique organique inclut déposer une couche-barrière inorganique sur la couche matérielle diélectrique organique, et déposer une couche masquante inorganique sur la couche-barrière inorganique. Une couche masquante de résine est déposée sur la couche masquante inorganique. La méthode autre inclut modeler la couche masquante de résine et graver à l'eau-forte par la couche masquante inorganique pour exposer la couche-barrière inorganique. Des parties restantes de la couche masquante de résine sont enlevées, et la couche-barrière inorganique exposée est gravée à l'eau-forte pour exposer la couche matérielle diélectrique organique. La méthode autre inclut enlever les parties restantes de la couche masquante inorganique, et graver à l'eau-forte la couche matérielle diélectrique organique exposée tout en en utilisant la couche-barrière inorganique comme masque.