The invention deals with a microporous crystalline material, with a characteristic X-ray diffractogram, comprised of oxygen tetrahedra and a metal (T.sup.+4 and T.sup.+3) with the possibility of introducing surface acidity produced by the substitution in the lattice of some T.sup.+4 cations by T.sup.+3 cations, which gives rise to a structural charge deficiency that may be compensated by protons, Bronsted acidity, and/or high ratio radium charge cations, Lewis acidity; and the obtaining method thereof, based on the preparation of a gel, its hydrothermal treatment under controlled conditions and the treatment of the resulting laminar material with a solution of an organic compound, a swollen material being obtained, which is subjected to a treatment for the formation of interlaminar pillars of polymeric oxides, obtaining a pillared material that maintains the separation between the sheets, even after calcination.

Η εφεύρεση εξετάζει ένα microporous κρυστάλλινο υλικό, με ένα χαρακτηριστικό των ακτίνων X diffractogram, που αποτελείται από το tetrahedra οξυγόνου και ένα μέταλλο (T.sup.+4 και T.sup.+3) με τη δυνατότητα την οξύτητα επιφάνειας που παράγεται από την αντικατάσταση στο δικτυωτό πλέγμα μερικών κατιόντων T.sup.+4 από T.sup.+3 τα κατιόντα, που προκαλεί μια δομική ανεπάρκεια δαπανών που μπορεί να αντισταθμιστεί από τα πρωτόνια, την οξύτητα Bronsted, ή/και την υψηλή αναλογία κατιόντα δαπανών ραδίου, οξύτητα Lewis και η μέθοδος λήψης επ' αυτού, βασισμένη στην προετοιμασία ενός πηκτώματος, της υδροθερμικής επεξεργασίας του υπό τις ελεγχόμενες συνθήκες και της επεξεργασίας του προκύπτοντος ελασματικού υλικού με μια λύση μιας οργανικής ένωσης, ένα πρησμένο υλικό που λαμβάνεται, το οποίο πολυμερή οξείδια, που λαμβάνουν ένα κιονωτό υλικό που διατηρεί το χωρισμό μεταξύ των φύλλων, ακόμα και μετά από calcination.

 
Web www.patentalert.com

< Adsorbent for aromatic hydroxy compound and utilization thereof

< Catalytic generation of hydrogen

> Micro-crystalline boehmites containing additives

> Process for producing low defect density, ideal oxygen precipitating silicon

~ 00069