The present invention is directed to a process for producing a silicon wafer which, during the heat treatment cycles of essentially any arbitrary electronic device manufacturing process, may form an ideal, non-uniform depth distribution of oxygen precipitates and may additionally contain an axially symmetric region which is substantially free of agglomerated intrinsic point defects. The process including growing a single crystal silicon ingot from molten silicon, and as part of the growth process, controlling (i) a growth velocity, v, (ii) an average axial temperature gradient, G.sub.0, during the growth of a constant diameter portion of the crystal over a temperature range from solidification to a temperature of no less than about 1325.degree. C., and (iii) a cooling rate of the crystal from a solidification temperature to about 1,050.degree. C., in order to cause the formation of an axially symmetrical segment which is substantially free of agglomerated intrinsic point defects. A silicon wafer is then sliced from the ingot, subjected to a heat-treatment to form crystal lattice vacancies in the front surface and bulk layers of the wafer and cooled at a rate sufficient to cause a non-uniform vacancy concentration profile in the wafer such that a thermal treatment at a temperature in excess of 750.degree. C., is capable of forming in the wafer a denuded zone in the front surface layer and oxygen clusters or precipitates in the bulk zone with the concentration of the oxygen clusters or precipitates in the bulk layer being primarily dependant upon the concentration of vacancies.

A invenção atual é dirigida a um processo para produzir um wafer de silicone que, durante os ciclos do tratamento de calor essencialmente de todo o processo de manufacturing arbitrário do dispositivo eletrônico, possa dar forma a uma distribuição ideal, non-uniform da profundidade de precipitates do oxigênio e pode adicionalmente conter uma região axialmente symmetric que esteja substancialmente livre de defeitos intrínsecos aglomerados do ponto. O processo including o crescimento de um ingot do silicone do único cristal do silicone derretido, e como a parte do processo do crescimento, controlando (i) uma velocidade do crescimento, v, (ii) um gradient axial médio da temperatura, G.sub.0, durante o crescimento de uma parcela constante do diâmetro do cristal sobre uma escala de temperatura do solidification a uma temperatura do nenhum mais menos do que sobre 1325.degree. C., e (iii) uma taxa refrigerando do cristal de uma temperatura do solidification aproximadamente a 1,050.degree. O C., a fim causar a formação de um segmento axialmente simétrico que esteja substancialmente livre do ponto intrínseco aglomerado defects. Um wafer de silicone então é cortado do ingot, sujeitado a um heat-treatment às vacâncias do lattice de cristal do formulário na superfície dianteira e nas camadas maiorias do wafer e refrigerado em uma taxa suficiente causar a um perfil non-uniform da concentração da vacância no wafer tais que um tratamento térmico em uma temperatura no excesso de 750.degree. O C., é capaz de dar forma no wafer a uma zona denuded nos conjuntos dianteiros da camada de superfície e do oxigênio ou precipitates na zona maioria com a concentração dos conjuntos do oxigênio ou precipitates na camada maioria que é primeiramente dependente da concentração das vacâncias.