A magnetoresistive device including a high-resistivity layer (13), a first magnetic layer (12) and a second magnetic layer (14), the first magnetic layer (12) and the second magnetic layer (14) being arranged so as to sandwich the high-resistivity layer (13), wherein the high-resistivity layer (13) is a barrier for passing tunneling electrons between the first magnetic layer (12) and the second magnetic layer (14), and contains at least one element L.sub.ONC selected from oxygen, nitrogen and carbon; at least one layer A selected from the first magnetic layer (12) and the second magnetic layer (14) contains at least one metal element M selected from Fe, Ni and Co, and an element R.sub.CP different from the metal element M; and the element R.sub.CP combines with the element L.sub.ONC more easily in terms of energy than the metal element M. Accordingly, a novel magnetoresistive device having a low junction resistance and a high MR can be obtained.

Um dispositivo magnetoresistive including uma camada do elevado-high-resistivity (13), uma primeira camada magnética (12) e uma segunda camada magnética (14), a primeira camada magnética (12) e a segunda camada magnética (14) que está sendo arranjada para imprensar a camada do elevado-high-resistivity (13), wherein a camada do elevado-high-resistivity (13) é uma barreira para passar elétrons tunneling entre a primeira camada magnética (12) e a segunda camada magnética (14), e contem ao menos um elemento L.sub.ONC selecionado do oxigênio, do nitrogênio e do carbono; ao menos uma camada A selecionada da primeira camada magnética (12) e a segunda camada magnética (14) contem ao menos um elemento M do metal selecionado do Fe, o Ni e o Co, e um elemento R.sub.CP diferente do elemento M do metal; e as ligas do elemento R.sub.CP com o elemento L.sub.ONC mais fàcilmente nos termos da energia do que o elemento M. Conformemente do metal, de um dispositivo magnetoresistive da novela que tem uma resistência baixa da junção e um SR. elevado podem ser obtidas.