A resist composition contains a base resin, a photoacid generator, and a solvent. The photoacid generator is a sulfonium salt of formula (1). ##STR1## R.sup.1 is a monovalent cyclic or bridgedring C.sub.3-20, hydrocarbon group, R.sup.2 is hydroxyl, nitro, halogen, or a straight, branched or cyclic monovalent C.sub.1-15 hydrocarbon group which may contain O, N, S or halogen atom, K.sup.- is a non-nucleophilic counter ion, x is equal to 1 or 2, and y is an integer of 0-3. The resist composition is sensitive to ArF excimer laser light, has good sensitivity and resolution, and forms a thick film which is advantageous in etching.

Una composición del resistir contiene una resina baja, un generador del photoacid, y un solvente. El generador del photoacid es una sal del sulfonium del fórmula (1). ## del ## STR1 R.sup.1 es un C.sub.3-20 cíclico o bridgedring monovalente, grupo del hidrocarburo, R.sup.2 es oxhidrilo, nitro, halógeno, o un recto, ramificó o el grupo monovalente cíclico que puede contener O, N, S o el átomo del halógeno, K.sup del hidrocarburo C.sub.1-15. - es un ion contrario no-non-nucleophilic, x es igual a 1 o a 2, y y es un número entero de 0-3. La composición del resistir es sensible a la luz laser del excimer de ArF, tiene buena sensibilidad y resolución, y forma una película gruesa que sea ventajosa en la aguafuerte.