A getter which can maintain an absorption ability and secure sufficient characteristics even when a high-temperature low-vacuum is experienced in a process as compared with a conventional getter. The getter has an undulation on the surface, and is formed by depositing Ti or a composition mainly containing Ti or Zr or a base surface mainly containing Zr.

Een vangstof die een absorptiecapaciteit kan handhaven en voldoende kenmerken beveiligen zelfs wanneer een laag-vacuĆ¼m op hoge temperatuur is ervoer in een proces vergeleken met een conventionele vangstof. De vangstof heeft een golving op de oppervlakte, en door Ti of een samenstelling gevormd hoofdzakelijk Ti of Zr bevatten of een basisoppervlakte te deponeren die hoofdzakelijk Zr bevatten.

 
Web www.patentalert.com

< Stitched write head design having a sunken shared pole

< Optical pickup device

> Semiconductor device having a damascene type wiring layer

> Resin-encapsulated semiconductor device

~ 00070