A method for fabricating p-type, i-type, and n-type III-V compound
materials using HVPE techniques is provided. If desired, these materials
can be grown directly onto the surface of a substrate without the
inclusion of a low temperature buffer layer. By growing multiple layers of
differing conductivity, a variety of different device structures can be
fabricated including simple p-n homojunction and heterojunction structures
as well as more complex structures in which the p-n junction, either
homojunction or heterojunction, is interposed between a pair of wide band
gap material layers. The provided method can also be used to fabricate a
device in which a non-continuous quantum dot layer is grown within the p-n
junction. The quantum dot layer is comprised of a plurality of quantum dot
regions, each of which is typically between approximately 20 and 30
Angstroms per axis. The quantum dot layer is preferably comprised of
Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N, InGaN.sub.1-a-b P.sub.a
As.sub.b, or Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N.sub.1-a-b P.sub.a
As.sub.b.
Eine Methode für das Fabrizieren der Part, der Ichart und der Nart III-V die zusammengesetzten Materialien, die HVPE Techniken verwenden, wird zur Verfügung gestellt. Wenn sie gewünscht werden, können diese Materialien direkt auf die Oberfläche eines Substrates ohne die Einbeziehung einer Pufferschicht der niedrigen Temperatur gewachsen werden. Durch wachsende mehrfache Schichten unterscheidene Leitfähigkeit, kann eine Vielzahl der unterschiedlichen Vorrichtung Strukturen einschließlich einfache p-n Homojunction- und Heterojunctionstrukturen sowie kompliziertere Strukturen fabriziert werden, in denen die p-n Verzweigung, entweder Homojunction oder Heterojunction, zwischen einem Paar breiten Bandabstand Materialschichten vermittelt wird. Die zur Verfügung gestellte Methode kann auch verwendet werden, um eine Vorrichtung zu fabrizieren, in der eine unzusammenhängende Quantenpunktschicht innerhalb der p-n Verzweigung gewachsen wird. Die Quantenpunktschicht wird von einer Mehrzahl der Quantenpunktregionen enthalten, von denen jede gewöhnlich zwischen ungefähr 20 und 30 Angstroms pro Mittellinie ist. Die Quantenpunktschicht wird vorzugsweise von Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N, von InGaN.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b oder von Al.sub.x B.sub.y In.sub.z Ga.sub.1-x-y-z N.sub.1-a-b P.sub.a As.sub.b enthalten.
