LEDs employing a III-Nitride light emitting active region deposited on a base layer above a substrate show improved optical properties with the base layer grown on an intentionally misaligned substrate with a thickness greater than 3.5 .mu.m. Improved brightness, improved quantum efficiency, and a reduction in the current at which maximum quantum efficiency occurs are among the improved optical properties resulting from use of a misaligned substrate and a thick base layer. Illustrative examples are given of misalignment angles in the range from 0.05.degree. to 0.50.degree., and base layers in the range from 6.5 to 9.5 .mu.m although larger values of both misalignment angle and base layer thickness can be used. In some cases, the use of thicker base layers provides sufficient structural support to allow the substrate to be removed from the device entirely.

I LED che impiegano una regione attiva d'emissione chiara del III-Nitruro depositata su uno strato basso sopra un substrato mostrano le proprietà ottiche migliorate con lo strato basso sviluppate su un substrato intenzionalmente mal allineato con un mu.m di 3.5 di spessore più notevolmente. La luminosità migliorata, l'efficienza migliorata di quantum e una riduzione della corrente a cui l'efficienza massima di quantum si presenta sono fra le proprietà ottiche migliorate derivando dall'uso di un substrato mal allineato e di uno strato basso spesso. Gli esempi illustrativi sono forniti degli angoli di cattivo allineamento nella gamma da 0.05.degree. a 0.50.degree. ed agli strati bassi nella gamma da 6.5 a mu.m 9.5 anche se i più grandi valori sia dell'angolo di cattivo allineamento che dello spessore di strato basso possono essere usati. In alcuni casi, l'uso degli strati bassi più spessi fornisce il supporto strutturale sufficiente per permettere che il substrato sia rimosso dal dispositivo interamente.