A structure of III-nitride light emitting diode (LED) having spiral electrodes and a manufacturing method thereof. The present invention uses an etching or polishing method to form a spiral-shaped trench in the surface of the epitaxial structure of LED, so that two metal electrodes having opposite electrical properties, formed in following steps, have the spiral-shaped pattern structures in parallel. The structure of III-nitride LED having spiral electrodes formed by the method of the present invention can evenly distribute the injected current between two electrodes having opposite electrical properties, thereby having the advantages of good current-spreading efficiency and the uniform light-emitting area. In addition, the photon ejected to the surface of diode produced with a large angle can be extracted from the side of the trench that is exposed by etching spiral-shaped pattern, so that the extraction efficiency of photon is increased.

Eine Struktur III-Nitrid der lichtemittierenden Diode (LED) Spiraleelektroden und eine Produktionsmethode davon habend. Die anwesende Erfindung benutzt eine Radierung, oder die Poliermethode, zum eines Spirale-shaped Grabens in der Oberfläche der Epitaxial- Struktur von LED zu bilden, damit zwei Metalelektroden, die gegenüber von den elektrischen Eigenschaften, gebildet in folgenden Schritten haben, haben die Spirale-shaped Musterstrukturen in der Ähnlichkeit. Die Struktur des III-Nitrids LED, das Spiraleelektroden durch die Methode der anwesenden Erfindung sich bilden läßt, kann den eingespritzten Strom zwischen zwei Elektroden gleichmäßig verteilen, die gegenüber von elektrischen Eigenschaften haben, dadurch siehat siehat die Vorteile von gutem, Leistungsfähigkeit und den konstanten lichtemittierenden Bereich gegenwärtig-verbreiten. Zusätzlich kann das Photon, das zur Oberfläche der Diode produziert mit einem großen Winkel ausgestoßen wird, von der Seite des Grabens extrahiert werden, der herausgestellt wird, indem man Spirale-shaped Muster ätzt, damit die Extraktion-Leistungsfähigkeit des Photons erhöht wird.