A method for manufacturing a light-emitting device which using group III nitride group semiconductors and a quantum well structure, comprising forming a well layer (e.g. an InGaN layer), forming a cap layer on the well layer, the cap layer having almost the same compositions as the well layer at a temperature similar to that at which the well layer was formed. Further, and the cap layer is formed at a crystal growth rate which is faster than the crystal growth rate of the well layer and removing the cap layer using a thermal cracking (or decomposition) process during the temperature ramp up associated with the formation of the next group III nitride compound semiconductor layer. After the cap layer is removed, the group III nitride compound semiconductor layer is formed on the exposed well layer.

Метод для изготовлять светоиспускающое приспособление использующ нитрид группы III соберите полупроводники и структуру добра суммы, состоя из формирующ хороший слой (например слой InGaN), формируя слой крышки на хорошем слое, слое крышки имея почти такие же составы как хороший слой на температуре подобной к тому на котором хороший слой был сформирован. Более потом, и слой крышки формирует на тарифе роста кристалла который быстре чем тариф роста кристалла хорошего слоя и извлекать слой крышки использующ процесс термально трескать (или разложение) во время пандуса температуры вверх по associated с образованием следующего слоя составного полупроводника нитрида группы III. После того как слой крышки извлекается, слой составного полупроводника нитрида группы III сформирован на, котор подвергли действию хорошем слое.