An nitride semiconductor device for the improvement of lower operational voltage or increased emitting output, comprises an active layer comprising quantum well layer or layers and barrier layer or layers between n-type nitride. semiconductor layers and p-type nitride semiconductor layers, wherein said quantum layer in said active layer comprises InxGa1-xN (0 Un dispositivo de semiconductor del nitruro para la mejora de un voltaje operacional más bajo o creciente emitiendo salida, abarca una capa activa que abarca capa del quántum o las capas y capa o las capas bien de barrera entre el n-tipo capas del semiconductor del nitruro y el p-tipo capas del semiconductor del nitruro, en donde la capa dicha del quántum en la capa activa dicha abarca InxGa1-xN (0