A non-invasive electro-optic probe and probe method for probing electric fields in semiconductor devices comprising directing laser output at a semiconductor device to be probed employing a laser having an operating wavelength such that photon energy of a second harmonic wavelength of the operating wavelength is below the band gap of a semiconductor comprised by the semiconductor device and detecting second harmonic wavelength but not operating wavelength radiation from the semiconductor device.

Eine non-invasive electro-optic Prüfspitze und eine Prüfspitze Methode für das Prüfen elektrisch fängt in den Halbleiterelementen auf, die Laser Ausgang an einem Halbleiterelement verweisend geprüft zu werden, einen Laser einsetzend enthalten, der, eine funktionierende Wellenlänge so hat, daß Photonenergie einer zweiten harmonischen Wellenlänge der funktionierenden Wellenlänge unterhalb des Bandabstandes eines Halbleiters ist, der indem das Halbleiterelement und das Ermitteln der an zweiter Stelle harmonischen Wellenlänge aber das Laufen lassen von von Wellenlängestrahlung nicht vom Halbleiterelement enthalten wird.