Disclosed is a semiconductor device comprising: a multiplicity of wiring levels, each wiring level comprising conductive wires and a multiplicity of conductive fill shapes embedded in a dielectric; at least some of the fill shapes in at least two adjacent wiring levels being co-aligned; and where the fill shapes on adjacent levels are aligned, one or more conductive vias extending between and joining each co-aligned fill shape in each adjacent wiring level. The joined fill shapes serve to reinforce and support the dielectric, which may be a non-rigid or low-k dielectric.

Onthuld wordt een halfgeleiderapparaat bestaand uit: een multipliciteit van de bedrading van niveaus, elk bedradingsniveau dat uit geleidende draden en een multipliciteit van geleidende vullingsvormen ingebed bestaan in diëlektrisch; enkele minstens vullingsvormen in minstens twee aangrenzende wordt mede-gericht bedradingsniveaus; en waar de vullingsvormen op aangrenzende niveaus worden gericht, één of meerdere geleidende vias die uitbreiden zich tussen en bij elke mede-gerichte vullingsvorm in elk aangrenzend bedradingsniveau aansluiten zich. De aangesloten bij vullingsvormen dienen om diëlektrisch te versterken en te steunen, diëlektrische die non-rigid of laag-k kan zijn.