A semiconductor memory device includes ferroelectric memory cells, cell
transistors connected between first nodes of the memory cells and data
transfer lines, the memory cells and the cell transistors being grouped
into units each corresponding to one or more column addresses, global word
lines, one of which is activated in response to selection of a
corresponding row address, global plate lines, one of which is activated
in response to selection of the corresponding row address, local word
lines, each of which is provided and dedicated for a corresponding one of
the units, and is connected to gates of the cell transistors, local plate
lines, each of which is provided and dedicated for a corresponding one of
the units, and is connected to second nodes of the memory cells, and a
unit switch circuit which electrically connects the activated one of the
global word lines to one of the local word lines in a selected one of the
units so as to achieve the same potential therebetween, and electrically
connects the activated one of the global plate lines to one of the local
plate lines in the selected one of the units so as to achieve the same
potential therebetween.
Μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών περιλαμβάνει τα σιδηροηλεκτρικά κύτταρα μνήμης, κρυσταλλολυχνίες κυττάρων που συνδέονται μεταξύ των πρώτων κόμβων των κυττάρων μνήμης και των γραμμών μεταφοράς στοιχείων, των κυττάρων μνήμης και των κρυσταλλολυχνιών κυττάρων που ομαδοποιούνται στις μονάδες κάθε ένας που αντιστοιχεί σε μια ή περισσότερες διευθύνσεις στηλών, σφαιρικές γραμμές λέξης, μια από τις οποίες ενεργοποιείται σε απάντηση στην επιλογή μιας αντίστοιχης διεύθυνσης σειρών, σφαιρικές γραμμές πιάτων, μια από τις οποίες ενεργοποιείται σε απάντηση στην επιλογή της αντίστοιχης διεύθυνσης σειρών, τοπικές γραμμές λέξης, κάθε μια από τις οποίες παρέχεται και αφιερώνεται για αντίστοιχη μια από τις μονάδες, και συνδέεται με τις πύλες των κρυσταλλολυχνιών κυττάρων, τοπικές γραμμές πιάτων, κάθε μια από τις οποίες παρέχεται και συνδεμένος με τους δεύτερους κόμβους των κυττάρων μνήμης, και ένα κύκλωμα διακοπτών μονάδων που συνδέει ηλεκτρικά ενεργοποιημένης μιας από τις σφαιρικές γραμμές λέξης με μια από τις τοπικές γραμμές λέξης επιλεγμένη μια από τις μονάδες ώστε να επιτευχθεί η ίδια δυνατότητα, και συνδέει ηλεκτρικά ενεργοποιημένης μιας από τις σφαιρικές γραμμές πιάτων με μια από τις τοπικές γραμμές πιάτων επιλεγμένη μια από τις μονάδες ώστε να επιτευχθεί η ίδια δυνατότητα.