Systems and methods are described for compositions, apparatus and/or electronic devices. A composition, includes a composition layer defining a first surface and a second surface, the composition layer including a collection layer that is located closer to the first surface than to the second surface. An apparatus, includes a semiconductor absorber layer defining a first surface and a second surface; and an electrode layer coupled to the first surface of the semiconductor absorber layer, wherein the semiconductor absorber layer includes a collection layer that is located closer to the first surface than to the second surface. A electronic device includes a semiconductor structure for absorbing, the semiconductor structure for absorbing defining a first surface and a second surface; and an electrode structure for conducting coupled to the second surface of the semiconductor structure, where the semiconductor structure includes a collection layer that is located closer to the first surface than to the second surface.

I sistemi ed i metodi sono descritti per le composizioni, l'apparecchio e/o i dispositivi elettronici. Una composizione, include uno strato della composizione che definisce una prima superficie e una seconda superficie, lo strato della composizione compreso uno strato dell'accumulazione che è situato più vicino alla prima superficie che alla seconda superficie. Un apparecchio, include uno strato dell'assorbitore a semiconduttore che definisce una prima superficie e una seconda superficie; e uno strato dell'elettrodo accoppiato alla prima superficie dello strato dell'assorbitore a semiconduttore, in cui lo strato dell'assorbitore a semiconduttore include uno strato dell'accumulazione che è situato più vicino alla prima superficie che alla seconda superficie. Un dispositivo elettronico include una struttura a semiconduttore per assorbire, la struttura a semiconduttore per assorbente definendo una prima superficie e una seconda superficie; e una struttura dell'elettrodo per la condotta accoppiata alla seconda superficie della struttura a semiconduttore, in cui la struttura a semiconduttore include uno strato dell'accumulazione che è situato più vicino alla prima superficie che alla seconda superficie.