There is provided a method in which a TFT with superior electrical characteristics is manufactured and a high performance semiconductor device is realized by assembling a circuit with the TFT. The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of forming a crystal-containing semiconductor film by carrying out a thermal annealing to a semiconductor film; a step of carrying out an oxidizing treatment to the crystal-containing semiconductor film; a step of carrying out a laser annealing treatment to the crystal-containing semiconductor film after the oxidizing treatment has been carried out; and a step of carrying out a furnace annealing treatment to the crystal-containing semiconductor film after the laser annealing. The laser annealing treatment is carried out with an energy density of 250 to 5000 mJ/cm.sup.2.

É fornecido um método em que um TFT com características elétricas superiores é manufactured e um dispositivo de semicondutor do desempenho elevado é realizado montando um circuito com o TFT. O método de manufaturar o dispositivo de semicondutor inclui: uma etapa de dar forma a uma película cristal-contendo do semicondutor realizando um recozimento térmico a uma película do semicondutor; uma etapa de realizar um tratamento de oxidação à película cristal-contendo do semicondutor; uma etapa de realizar um tratamento do recozimento do laser à película cristal-contendo do semicondutor depois que o tratamento de oxidação foi realizado; e uma etapa de realizar um tratamento do recozimento da fornalha à película cristal-contendo do semicondutor após o recozimento do laser. O tratamento do recozimento do laser é realizado com uma densidade da energia de 250 a 5000 mJ/cm.sup.2.