A mask film of a material on which substantially no nitride semiconductor grows and having a plurality of openings in a stripe shape is formed on a main surface of a base substrate. Then, on the base substrate, a semiconductor layer of nitride is selectively grown through the mask film. Then, a laser beam is irradiated upon the interface between the semiconductor layer and the base substrate to separate the semiconductor layer from the base substrate, so that a nitride semiconductor substrate is formed from the semiconductor layer.

Ein Schablone Film eines Materials, auf dem im wesentlichen kein Nitridhalbleiter wächst und des Habens einer Mehrzahl von Öffnungen in einer Streifenform wird auf einer Hauptoberfläche eines niedrigen Substrates gebildet. Dann auf dem niedrigen Substrat, wird eine Halbleiterschicht des Nitrids selektiv durch den Schablone Film gewachsen. Dann wird ein Laserstrahl nach der Schnittstelle zwischen der Halbleiterschicht und dem niedrigen Substrat bestrahlt, um die Halbleiterschicht vom niedrigen Substrat zu trennen, damit ein Nitridhalbleitersubstrat von der Halbleiterschicht gebildet wird.