A probe card for testing a wafer having formed a plurality of semiconductor chips, the probe card including a board and a multi-layer substrate. The probe card may also include a flexible substrate. A contact electrode, located opposite from an electrode on one of the chips, is disposed above or below the flexible substrate, or may be provided on an elastic material on the multi-layered substrate. A first wiring has a first portion connected to the contact electrode, a level transitioning portion extending from a level of the first portion to the multi-layer substrate at a lower level, and a connecting terminal at an end of the level transitioning portion connected to an internal terminal on the multi-layered substrate. A second wiring in the multi-layered substrate connects the internal terminal to an external terminal at a periphery of the multi-layer substrate. A third wiring on the board connects the external terminal on the multi-layer substrate to an external connecting terminal on the board. Displacements of the internal terminal resulting from the temperature load applied during testing of the wafer are compensated by the level transitioning portion of the first wiring. Unevenness involved with the contact between the contact electrodes on the probe card and the electrodes on the chips are compensated by the contact electrodes and/or elastic material according to the present invention. An electrode pitch of the contact electrodes is expanded by the first wiring.

Una scheda della sonda per la prova della cialda che forma una pluralità di circuiti integrati a semiconduttore, la scheda della sonda compreso un bordo e un substrato a più strati. La scheda della sonda può anche includere un substrato flessibile. Un elettrodo del contatto, opposto individuato da un elettrodo su uno dei circuiti integrati, è disposto di sopra o sotto il substrato flessibile, o può essere fornito su un materiale elastico sul substrato multi-layered. I primi collegamenti hanno una prima parte collegata all'elettrodo del contatto, una parte transitioning del livello che si estendono da un livello della prima parte fino il substrato a più strati ad un livello più basso e un terminale di collegamento alla fine della parte transitioning livellata collegata ad un terminale interno sul substrato multi-layered. I secondi collegamenti nel substrato multi-layered collegano il terminale interno ad un terminale esterno ad una periferia del substrato a più strati. I terzi collegamenti sul bordo collegano il terminale esterno sul substrato a più strati ad un terminale di collegamento esterno sul bordo. Gli spostamenti del terminale interno che deriva dal carico di temperatura si sono applicati durante la prova della cialda sono compensati dalla parte transitioning livellata dei primi collegamenti. L'irregolarità addetta al contatto fra gli elettrodi del contatto sulla scheda della sonda e gli elettrodi sui circuiti integrati è compensata dagli elettrodi del contatto e/o dal materiale elastico secondo la presente invenzione. Un passo dell'elettrodo degli elettrodi del contatto è espanso dai primi collegamenti.

 
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< Rewritable compact disk and manufacturing method thereof

< Parallel plane substrate

> Semiconductor device having a bump electrode

> Product using Zn-Al alloy solder

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