The invention is directed to a high frequency semiconductor device housing
package comprising: an insulating substrate having on its top surface a
high frequency semiconductor device mounting and housing portion; a
plurality of wiring conductors delivered from the mounting and housing
portion through the under surface of the insulating substrate, to which an
electrode of the high frequency semiconductor device is electrically
connected; and a plurality of ball-shaped signal terminals and ball-shaped
grounding terminals arranged on the under surface of the insulating
substrate and electrically connected to the wiring conductor, the
ball-shaped grounding terminals being arranged substantially circularly so
as to surround the centered ball-shaped signal terminal. This construction
achieves efficient transmission of high-frequency signals because of its
excellent high frequency characteristics in the ball-shaped terminals. It
also excels in easiness of mass production and mounting accuracy.
Вымысел направлен к высокочастотному пакету снабжения жилищем прибора на полупроводниках состоя из: изолируя субстрат имея на своей верхней поверхности высокочастотная часть установки и снабжения жилищем прибора на полупроводниках; множественность проводников проводки поставленных от части установки и снабжения жилищем через нижнюю поверхность изолируя субстрата, к которому электрод высокочастотный прибора на полупроводниках электрически соединен; и множественность шарик-sformirovannyx стержней сигнала и шарик-sformirovannyx стержней зазмеления аранжировала на нижней поверхности изолируя субстрата и электрически соединилась к проводнику проводки, шарик-sformirovannym стержням зазмеления будучи аранжированными, что существенн кругово окружила центризованный шарик-sformirovanny1 сигнал терминальный. Эта конструкция достигает эффективной передачи высокочастотных сигналов из-за своих превосходных высокочастотных характеристик в шарик-sformirovannyx стержнях. Она также первенствует в easiness точности массовой продукции и установки.
