A substrate for forming a semiconducting layer is provided to grow the
semiconducting layer on a major surface thereof, wherein the substrate
comprises a single crystal of a chemical formula of XB.sub.2 where X
contains one of Ti and Zr and the major surface may preferably be
substantially parallel to plane (0001) of the single crystal because the
plane (0001) of the boride substrate is highly coherent to the lattices of
GaN and AlN layers grown eptaxially on the substrate. The single crystal
of the substrate may be a solid solution containing impurities of not more
than 5%, wherein at least one of the impurities is one selected from Cr,
Hf, V, Ta and Nb. Further, a semiconductor device includes the substrate
of a single crystal of a chemical formula of XB.sub.2 and at least one
semiconducting layer which is grown epitaxially on the substrate, the
semiconducting layer including a nitride semiconductor of a chemical
formula of ZN where Z is one of gallium, aluminum and indium and boron.
The device can be used for a light emission diode in which one or more
connection electrodes are attached on the substrate.
Un substrato para formar una capa semiconductora se proporciona para crecer la capa semiconductora en una superficie importante de eso, en donde el substrato abarca un solo cristal de un fórmula químico de XB.sub.2 donde X contiene uno de ti y el zr y la superficie principal pueden preferiblemente ser substancialmente paralelos al plano (0001) del solo cristal porque el plano (0001) del substrato del boruro es altamente coherente a los enrejados de GaN y AlN acoda crecido eptaxially en el substrato. El solo cristal del substrato puede ser una solución sólida que contiene impurezas de no más el que 5%, en donde por lo menos una de las impurezas es una seleccionada del cr, del Hf, de V, de TA y de la NOTA. Además, un dispositivo de semiconductor incluye el substrato de un solo cristal de un fórmula químico de XB.sub.2 y por lo menos una capa semiconductora que se crezca epitaxially en el substrato, la capa semiconductora incluyendo un semiconductor del nitruro de un fórmula químico del ZN donde está uno Z de galio, aluminio e indio y boro. El dispositivo se puede utilizar para un diodo ligero de la emisión en el cual unos o más electrodos de la conexión se unan en el substrato.
