A method of manufacturing a tandem thin-film solar cell is provided, the
solar cell including a plurality of photoelectric conversion units stacked
on a substrate, the photoelectric conversion units each having a p-type
layer, an i-type photoelectric conversion layer and an n-type layer
deposited in this order from a light-incident side of the solar cell, and
at least a rear unit among the photoelectric conversion units that is
furthest from the light-incident side being a crystalline unit including a
crystalline i-type photoelectric conversion layer. The manufacturing
method includes the steps of forming at least one of the units on the
substrate by plasma CVD and immediately thereafter forming an i-type
boundary layer to a thickness of at most 5 nm by plasma CVD, and
thereafter removing the substrate into the atmosphere to expose a surface
of the i-type boundary layer to the atmosphere and then forming a
crystalline unit on the i-type boundary layer by plasma CVD.
Een methode om een thin-film zonnecel wordt achter elkaar te vervaardigen verstrekt, gestapeld de zonnecel met inbegrip van een meerderheid van foto-elektrische omzettingseenheden op een substraat, de foto-elektrische omzettingseenheden elk die p-type laag, een I-type foto-elektrische omzettingslaag en n-type een laag heeft die in deze orde van een licht-inherente kant van de zonnecel wordt een gedeponeerd, en minstens een achtereenheid onder de foto-elektrische omzettingseenheden die van de licht-inherente kant die een kristallijne eenheid met inbegrip van een kristallijne I-type foto-elektrische omzettingslaag het meest verste is is. De productiemethode omvat de stappen van het vormen van minstens één van de eenheden op het substraat door plasmacCvd en onmiddellijk daarna het vormen van een I-type grenslaag aan een dikte van hoogstens de meeste 5 NM door plasmacCvd, en daarna het verwijderen van het substraat in de atmosfeer om een oppervlakte van de I-type grenslaag aan de atmosfeer bloot te stellen en dan het vormen van een kristallijne eenheid op de I-type grenslaag door plasmacCvd.
