There is provided a semiconductor device which comprises a capacitor including a lower electrode, a dielectric film, and an upper electrode, a first protection film formed on the capacitor, a first wiring formed on the first protection film, a first insulating film formed on the first wiring, a second wiring formed on the first insulating film, a second insulating film formed on the second wiring, and at least one of a second protection film formed between the first insulating film and the first wiring to cover at least the capacitor and a third protection film formed on the second insulating film to cover the capacitor and set to an earth potential. Accordingly, the degradation of the ferroelectric capacitor formed under the multi-layered wiring structure can be suppressed.

È fornito un dispositivo a semiconduttore che contiene un condensatore compreso un elettrodo più basso, una pellicola dielettrica e un elettrodo superiore, una prima pellicola di protezione formata sul condensatore, i primi collegamenti formati sulla prima pellicola di protezione, una prima pellicola isolante formata sui primi collegamenti, i secondi collegamenti formati sulla prima pellicola isolante, su una seconda pellicola isolante formata sui secondi collegamenti ed almeno su una di una seconda pellicola di protezione formata fra la prima pellicola isolante ed i primi collegamenti per coprire almeno il condensatore e una terza pellicola di protezione formati sulla seconda pellicola isolante per coprire il condensatore e per regolarsi ad un potenziale della terra. Di conseguenza, la degradazione del condensatore ferroelectric formato sotto la struttura multi-layered dei collegamenti può essere soppressa.