An index-guided buried heterostructure AlGaInN laser diode provides improved mode stability and low threshold current when compared to conventional ridge waveguide structures. A short period superlattice is used to allow adequate cladding layer thickness for confinement without cracking. The intensity of the light lost due to leakage is reduced by about 2 orders of magnitude with an accompanying improvement in the far-field radiation pattern when compared to conventional structures.

Een index-geleide begraven diode van de heterostructuuralGaInN laser verstrekt betere wijzestabiliteit en lage drempelstroom wanneer vergeleken bij de conventionele structuren van de randgolfgeleider. Korte periodesuperlattice wordt gebruikt om de adequate dikte van de bekledingslaag voor beperking toe te staan zonder het barsten. De intensiteit van het verloren licht wegens lekkage wordt verminderd door ongeveer 2 grootteordes met een begeleidende verbetering van het far-field stralingspatroon wanneer vergeleken bij conventionele structuren.

 
Web www.patentalert.com

< Icon display processor for displaying icons representing sub-data embedded in or linked to main icon data

< Method and apparatus to enable job streaming for a set of commonly shared resources

> Image processing algorithm for characterization of uniformity of printed images

> Subunit attaching structure and subunit attaching/removing method in image forming apparatus

~ 00073