A method and apparatus for measuring the concentration of different mobile ions in the oxide layer of a semiconductor wafer from the contact potential shift caused by different ions drifting across the oxide that includes depositing charge (e.g., using a corona discharge device) on the surface of the oxide and heating the wafer to allow different mobile ions in the oxide to drift. The difference in the contact potential measured before and after heating provides an indication of the different mobile ion concentration in the oxide layer.

Μια μέθοδος και μια συσκευή για τη συγκέντρωση των διαφορετικών κινητών ιόντων στο στρώμα οξειδίων μιας γκοφρέτας ημιαγωγών από την πιθανή μετατόπιση επαφών που προκαλείται από τα διαφορετικά ιόντα που παρασύρουν πέρα από το οξείδιο που περιλαμβάνει τη δαπάνη κατάθεσης (π.χ., χρησιμοποιώντας μια συσκευή απαλλαγής κορώνας) στην επιφάνεια του οξειδίου και θέρμανση της γκοφρέτας για να επιτρέψει τα διαφορετικά κινητά ιόντα στο οξείδιο στην κλίση. Η διαφορά στη δυνατότητα επαφών που μετριέται πριν και μετά από τη θέρμανση παρέχει μια ένδειξη της διαφορετικής κινητής ιονικής συγκέντρωσης στο στρώμα οξειδίων.