An oxide-confined vertical cavity surface emitting laser having reduced parasitic capacitance. The VCSEL includes a substrate having a first mirror stack grown epitaxially thereon. The first mirror stack includes a plurality of semiconductor layers and is doped with a first doping type. An active region is grown epitaxially above the first mirror stack for generating a lasing emission. A control layer is grown epitaxially above the first mirror stack, between first mirror stack and the active region or above the active region, and includes a central non-oxidized conducting portion and an outer, laterally oxidized insulating portion. A second mirror stack is grown epitaxially above the active region and the control layer. The second mirror stack includes a second plurality of semiconductor layers doped with a second doping type. The second plurality of semiconductors layers includes pairs of high index and low index materials. The low index material layers are generally equally laterally oxidized and have a non-oxidized central portion. The penetration of the lateral oxidation of the low index material layers is less than the oxidation penetration for the outer laterally oxidized insulating portion of the control layer.

Een oxyde-beperkte verticale holteoppervlakte die laser uitzendt die parasitische capacitieve weerstand heeft verminderd. VCSEL omvat een substraat dat een eerste daarop epitaxially gekweekte spiegelstapel heeft. De eerste spiegelstapel omvat een meerderheid van halfgeleiderlagen en met een eerste het smeren type gesmeerd. Een actief gebied wordt gekweekt epitaxially boven de eerste spiegelstapel voor het produceren van een lasing emissie. Een controlelaag wordt gekweekt epitaxially boven de eerste spiegelstapel, tussen eerste spiegelstapel en het actieve gebied of boven het actieve gebied, en omvat een centraal niet-geoxydeerd het leiden gedeelte en een buiten, lateraal geoxydeerd het isoleren gedeelte. Een tweede spiegelstapel wordt gekweekt epitaxially boven het actieve gebied en de controlelaag. De tweede spiegelstapel omvat een tweede meerderheid van halfgeleiderlagen die met een tweede het smeren type worden gesmeerd. De tweede meerderheid van halfgeleiderslagen omvat paren hoge index en lage indexmaterialen. De lage index materiële lagen zijn over het algemeen even lateraal geoxydeerd en hebben een niet-geoxydeerd centraal gedeelte. De penetratie van de zijoxydatie van de lage index materiële lagen is minder dan de oxydatiepenetratie voor het buiten lateraal geoxydeerde het isoleren gedeelte van de controlelaag.