The present invention provides compounds represented by formulas 1a and 1b, and photoresist polymers derived from the same. The present inventors have found that photoresist polymers derived from compounds of formulas 1a, 1b, or mixtures thereof, having an acid labile protecting group have excellent durability, etching resistance, reproducibility, adhesiveness and resolution, and as a result are suitable for lithography processes using deep ultraviolet light sources such as KrF, ArF, VUV, EUV, electron-beam, and X-ray, which can be applied to the formation of the ultrafine pattern of 4G and 16G DRAMs as well as the DRAM below 1G: ##STR1## where R.sub.1, R.sub.2 and R.sub.3 are those defined herein.

Die anwesende Erfindung liefert die Mittel, die durch Formeln 1a und 1b dargestellt werden, und die Photoresistpolymer-Plastiken, die vomselben abgeleitet werden. Die anwesenden Erfinder haben gefunden, daß Photoresistpolymer-Plastiken von den Mitteln der Formeln 1a, 1b oder Mischungen davon ableiteten, eine saure labile schützende Gruppe habend haben Sie die ausgezeichnete Haltbarkeit und Widerstand, Reproduzierbarkeit, Klebrigkeit und Auflösung ätzen, und seien Sie infolgedessen für Lithographieprozesse mit tiefen UV-Licht Quellen wie KrF, ArF, VUV, EUV, Elektron-Lichtstrahl und Röntgenstrahl verwendbar, der an der Anordnung des ultrafine Musters von DRAMs 4G und 16G sowie den DRAM unterhalb des 1G angewendet werden kann: ## STR1 ## wo R.sub.1, R.sub.2 und R.sub.3 die sind, die hierin definiert werden.