Bowing of semiconductor wafers during heating is reduced by heating the wafers in a gas with a thermal conductivity and mean free path greater than that of oxygen, or by heating the wafers in a processing chamber under a pressure less than 0.1 Torr. In one embodiment, the high thermal conductivity gas is helium and heating in the helium takes place at a pressure less than 2.4 Torr.

Η υπόκλιση των γκοφρετών ημιαγωγών κατά τη διάρκεια της θέρμανσης μειώνεται με να θερμάνει τις γκοφρέτες στο α αέριο με μια θερμική αγωγιμότητα και σημαίνει την ελεύθερη πορεία μεγαλύτερη από αυτή του οξυγόνου, ή με τη θέρμανση των γκοφρετών σε μια αίθουσα επεξεργασίας διά μια πίεση λιγότερο από 0,1 torr. Σε μια ενσωμάτωση, η υψηλή θερμική αγωγιμότητα είναι αέριο ήλιο και η θέρμανση στο ήλιο πραγματοποιείται σε μια πίεση λιγότερο από 2,4 torr.